分立器件试验条件，判定标准
文章出处：易升仪器 人气：发表时间：2022-06-08 13:46:09
分立器件试验条件，判定标准应用于各种封装的的二、三极管、桥堆、mosfet和可控硅等分立器件进行高温反偏老化试验系统、高温反偏高温栅偏试验（htrb/htgb）、高温漏电流测试（htir）和老化筛选：
| 试验项目 Test Item | 试验条件 Test Condition | 参考标准 Reference document | 选样数 Sample size | 判断标准 (A/R) |
|---|---|---|---|---|
| 高压蒸煮试验 AC(Autoclave) | 121 ℃, 29.7 psi, 100% RH, 96hrs | JESD22-A102 | 22/45/77 | 0/1 |
| 高加速老化试验 HAST(Highly Accelerated Stress Test) | TA =130℃, 85% RH, 230Kpa, Vds=80%Spec(42V max) 96hrs | JESD22-A110 | 22/45/77 | 0/1 |
| 高温反偏试验 HTRB(High Temperature Reverse Bias) | TJ = 150℃/specified TJ(max),Vds=80%Spec 1000Hrs | JESD22A-108 AEC-Q101 | 22/45/77 | 0/1 |
| 高温栅极反偏试验 HTGB(High Temperature Gate Bias) | TJ = 150℃/specified TJ(max),Vgs=100%Spec 1000Hrs | JESD22A-108 AEC-Q101 | 22/45/77 | 0/1 |
| 高温高湿偏压 H3TRB(High Humidity, High Temperature Reverse Bias) | 85℃；85% RH； Vgs=80%spec 100V MAX,1000Hrs | AEC -Q101 JESD22A-101 | 22/45/77 | 0/1 |
| 恒温恒湿实验 THT(Temp/Humidity Test) | Ta = 85℃ 85%RH | JESD22-A101 | 22/45/77 | 0/1 |
| 高温存储试验 HTSL(High Temperature Storage) | TA=150℃，1000Hrs | JESD22-A103&A113 | 22/45/77 | 0/1 |
| 不偏压高速老化 UHAST (Unbiased Temperature/Humidity) | 130℃；85% RH ； 96hrs | JESD22A-118 | 22/45/77 | 0/1 |
| 温度循环 TC(Temperature Cycling) | -65℃~+150℃, Tdwell ≥10min,500 cycles | JESD22-A104 | 22/45/77 | 0/1 |
| 耐焊接热 RSH(Resistance to Solder Heat) | SDM: A111 or J-STD-020 THMD: B1016 | JESD22A-A113 J-STD-020 | 10 | 0/1 |
| 易焊性 SD(Solder ability) | 245℃,5s，solder area>95% | JESD22-B102 | 10 | 0/1 |
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